Samsung está produciendo en masa la DRAM DDR5 más pequeña de la industria, anunció la compañía el martes.
La nueva DRAM EUV DDR5 de 14 nm tiene solo 14 nanómetros y cuenta con cinco capas de tecnología ultravioleta extrema (EUV). Puede alcanzar velocidades de hasta 7,2 gigabits por segundo, más del doble de la velocidad de DDR4. Samsung también afirma que su nueva tecnología EUV le da a la DRAM DDR5 la densidad de bits más alta, al tiempo que aumenta la productividad en un 20 % y reduce el consumo de energía en un 20 %.
EUV se está volviendo cada vez más importante a medida que la DRAM sigue reduciéndose de tamaño. Ayuda a mejorar la precisión de los patrones, que es necesaria para un mayor rendimiento y mayores rendimientos, dijo Samsung. La miniaturización extrema de la DRAM DDR5 de 14 nm no era posible antes de utilizar el método de producción de fluoruro de argón (ArF) convencional, y la empresa espera que su nueva tecnología ayude a abordar la necesidad de un mayor rendimiento y capacidad en campos como 5G e inteligencia artificial.
En el futuro, Samsung dijo que quiere crear un chip DRAM de 24 Gb y 14 nm para ayudar a satisfacer las demandas de los sistemas de TI globales. También planea expandir su cartera DDR5 de 14nm para admitir centros de datos, supercomputadoras y aplicaciones de servidores empresariales.
